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中新網遼寧新聞3月15日電 二維過渡金屬碳化物和氮化物MXene被公認為在電子和光電器件中具有重要應用潛力。然而，已報道的MXene薄膜的圖案化方法難以兼顧效率、解析度和與主流硅工藝的相容性。例如，電子束光刻法可以實現較高的圖案解析度，但效率較低，不適用於大面積圖案化；直接寫入、鐳射蝕刻和噴墨印刷等其他圖案化方法速度較快，但通常缺乏足夠的解析度。

中國科學院金屬研究所瀋陽材料科學國家研究中心的科研人員與國內多家單位科研團隊合作，通過設計MXene材料的離心、旋涂、光刻和蝕刻工藝quantumult ghelperwin10 怎么下载quantumult，提出了一種具有微米級解析度的晶圓級MXene薄膜圖案化方法，並構築了1024高像素密度光電探測器陣列。該陣列具有優異的均勻性、高解析度成像能力quantumult x资源解析器！、迄今為止最高的MXene光電探測器的探測度。研究成果于2022年2月28日在《先進材料》(Advanced Materials)線上發表quantumult x资源解析器，題為“Patterning of wafer-scale MXene films for high-performance image sensor arrays”。

該工作由中科院金屬所孫東明-成會明課題組、王曉輝課題組、南京大學王肖沐課題組、燕山大學張洪旺課題組、中科院蘇州奈米所邱松-李清文課題組等單位合作完成。中科院金屬所博士生李波、朱錢兵和崔聰為文章的共同第一作者。該研究計劃得到了國家自然科學基金、國家重點研發計劃、中科院先導項目和瀋陽材料科學國家研究中心等項目支援。